在軸承感應加熱中，奧氏體晶粒生長的動因是晶粒度的不均勻。且與品粒大小成反比，驅(qū)動晶粒長大與界面能成反比。

晶界處于理想狀態(tài)。在此狀態(tài)下的軸承感應加熱奧氏體顆粒不容易長大。但是，事實上奧氏體晶粒并不均勻。為保持界面張力平街，晶粒直徑小于平均直徑的晶粒一般小于6；直徑大于平均直徑的品粒一般小于6；

由于軸承感應加熱的界面張力平衡作用，在一定溫度條件下，只要靠近晶粒數(shù)小于6的晶粒，晶界就會彎曲成正曲率弧形，從而增大界面面積，提高界面能量。晶界處于理想狀態(tài)。

為減少軸承感應加熱晶界面積，降低界面能，晶界呈由曲線向直線轉(zhuǎn)變的自然趨勢，從而使晶粒不斷縮小，直至消失。當界面晶粒數(shù)目大于6時，由于邊界張力平衡，界面彎曲成負曲率弧形，同樣地，減少了界面面積，界面能量增大，晶粒長大，從而吞并了小顆粒。

 

進一步提高軸承感應加熱溫度或延長保溫時間，大顆粒會繼續(xù)長大這是無數(shù)小顆粒被吞噬和大顆粒長大的綜合結(jié)果。這一成長過程也就是所謂的奧氏體長大再結(jié)晶。

簡而言之，界面能越大，晶粒越小，對軸承感應加熱奧氏體晶粒長大的驅(qū)動力越大，晶粒長大傾向越大，品界更容易遷移。

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